「香港飛龍」標誌 本文内容： 如果您希望可以時常見面，歡迎標星收藏哦~來源：內容編譯自yole，謝謝。高帶寬存儲器 (HBM) 市場正經歷指數級增長，這主要得益於人工智能工作負載和高性能計算 (HPC) 應用的激增。2022 年底 ChatGPT 的推出催生了生成式人工智能的蓬勃發展，推動 2023 年 HBM 比特出貨量同比增長 187%，增幅空前，2024 年更是飆升 193%。預計這一增長勢頭將持續下去。HBM 的增速遠超整體 DRAM 市場。全球 HBM 收入預計將從 2024 年的 170 億美元增長至 2030 年的 980 億美元，複合年增長率達 33%。因此，HBM 在 DRAM 市場中的收益份額預計將從 2024 年的 18% 擴大到 2030 年的 50%。市場將在 2025 年迎來另一箇重大轉折點。當前的供應限制凸顯了 HBM 在 AI 數據中心和高級計算平臺中的戰略重要性，SK Hynix 和美光的報告表明，到 2025 年，他們的 HBM 生產能力已滿負荷運行。這些供應方面的限制強化了對產能擴張進行投資的必要性，以滿足不斷增長的需求。HBM 領先者競爭愈演愈烈SK海力士目前在HBM市場處於領先地位，已於2024年末開始量產12Hi HBM3E，並已於2025年初啓動其下一代12Hi HBM4（36GB）的客戶樣品供應，這一勢頭已從創紀錄的季度利潤中體現出來。三星目前正在加速鞏固其市場地位，積極開發其HBM產品組合，改進DRAM設計，並致力於爲即將推出的HBM4代產品研發4納米邏輯芯片，目前試產正在進行中，並計劃於2025年內向客戶供應樣品。美光跳過HBM3，於2024年直接憑藉HBM3E進入市場，爲英偉達的H200 GPU提供產品。儘管目前產能與SK海力士和三星相比有限，但美光科技正在迅速擴大產量，目標是到2025年底達到6萬片/分鐘（WPM），並將於2026年開始生產HBM4。爲了應對美國對人工智能芯片和HBM的限制，中國企業已啓動大規模投資，以打造國產替代產品。儘管與行業領先者存在技術差距，但中國企業可以利用國內對本土研發的人工智能加速器的強勁需求，這得益於政府的大力支持和完善的行業網絡。預計這些因素將幫助他們在未來幾年在HBM市場站穩腳跟。重新定義DRAM的發展儘管微縮挑戰日益嚴峻，平面 DRAM 預計將在 0c/0d 節點（2033-2034 年）繼續演進，並充分利用架構和工藝創新的結合。目前，業界依賴 6F2 DRAM 單元結構，該結構將在 2025 年佔據所有商用產品的主導地位。然而，進一步的微型化最終將需要向基於垂直晶體管 (VT) 的 4F2 單元過渡，並集成在 CMOS 鍵合陣列 (CBA) 架構中。在 0c/0d 節點之後，預計向 3D DRAM 架構的過渡將不可避免。截至 2025 年，所有主要的 DRAM 製造商都在積極探索多種架構路徑，以實現 3D DRAM 集成。混合鍵合被認爲是未來 HBM 世代的關鍵推動因素，尤其對於高堆疊配置而言。然而，由於良率和吞吐量方面的挑戰，HBM 供應商已將基於微凸塊的工藝擴展至 HBM4 和 HBM4E。目前，混合鍵合預計將於 2029 年左右與 HBM5 一起進入市場，尤其適用於高端 20Hi 堆疊。https://www.yolegroup.com/product/report/next-gen-dram-2025---focus-on-hbm-and-3d-dram/半導體精品公衆號推薦專注半導體領域更多原創內容關注全球半導體產業動向與趨勢*免責聲明：本文由作者原創。文章內容系作者個人觀點，半導體行業觀察轉載僅爲了傳達一種不同的觀點，不代表半導體行業觀察對該觀點贊同或支持，如果有任何異議，歡迎聯繫半導體行業觀察。今天是《半導體行業觀察》爲您分享的第4092期內容，歡迎關注。『半導體第一垂直媒體』實時 專業 原創 深度公衆號ID：icbank喜歡我們的內容就點“在看”分享給小夥伴哦 (本文内容不代表本站观点。) --------------------------------- |
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